[发明专利]焊料凸块制作方法有效
| 申请号： | 200910051849.0 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101894766A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李润领;童沙丹;司伟;吴俊徐;王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种焊料凸块制作方法，包括：提供一具有焊盘的半导体基底；在所述半导体基底上形成金属叠层；在所述金属叠层上形成第一光阻层，并图案化第一光阻层形成第一开口，所述第一开口位于焊盘上方相应位置并暴露出金属叠层；在所述第一开口中形成金属电极；平坦化所述第一光阻层和金属电极的表面；在所述第一光阻层和金属电极表面形成第二光阻层，并图案化第二光阻层形成第二开口，所述第二开口暴露出所述金属电极；在所述第二开口中形成焊料层；去除所述第一光阻层、第二光阻层和未被金属电极覆盖的金属叠层；回流所述焊料层形成凸点。本发明可形成高度和体积一致的高质量的焊料凸块，提高了半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 焊料 制作方法 | ||
【主权项】：
一种焊料凸块制作方法，包括：提供一具有焊盘的半导体基底；在所述半导体基底上形成金属叠层；在所述金属叠层上形成第一光阻层，并图案化所述第一光阻层形成第一开口，所述第一开口位于所述焊盘上方相应位置，并暴露出所述金属叠层；在所述第一开口中形成金属电极；平坦化所述第一光阻层和所述金属电极的表面；在所述第一光阻层和金属电极表面形成第二光阻层，并图案化所述第二光阻层形成第二开口，所述第二开口暴露出所述金属电极；在所述第二开口中形成焊料层；去除所述第一光阻层、第二光阻层和未被金属电极覆盖的金属叠层；回流所述焊料层形成凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
