[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910052190.0 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101567337A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 周雪梅;褚立文;刘宪周;杨潇楠;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/265;H01L31/18;H01L27/146;H01L31/103;H01L31/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括以下步骤：在生长有外延层的半导体衬底上形成器件隔离层、栅极和扩散区；利用掩模覆盖所述栅极和所述扩散区，暴露出相邻于所述栅极的光电二极管区；通过第一次离子注入在所述光电二极管区中形成第一杂质离子区；在所述光电二极管区进行第二次离子注入，在所述光电二极管区中靠近所述栅极的区域形成第二杂质离子区。该方法，在制造CMOS图像传感器中，利用掩模阴影效应在光电二极管中形成台阶状的电势分布结构，进而能够提高电荷向浮动扩散区的传输速度，降低成像滞后(Image Lag)，减少了噪声的出现，提高了CMOS图像传感器的成像质量。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在生长有外延层的半导体衬底上形成器件隔离层、栅极和扩散区；利用掩模覆盖所述栅极和所述扩散区，暴露出相邻于所述栅极的光电二极管区；通过第一次离子注入在所述光电二极管区中形成第一杂质离子区；在所述光电二极管区进行第二次离子注入，在所述光电二极管区中靠近所述栅极的区域形成第二杂质离子区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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