[发明专利]一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用无效
| 申请号： | 200910052205.3 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101567394A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 杨恒;成海涛;戴斌;吴燕红;李昕欣;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;B81B7/02;B81C1/00;H01L21/337;G01B7/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，沟道是垂直的；沟道与环绕栅形成一个Pn结；源、漏区通过压焊块或金属引线与外电路实现电学连接。所述的场效应晶体管与敏感结构制作在SOI硅片的顶层硅上，采用微机械加工方法同时制成。通过电容耦合实现对敏感结构的位移检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 环绕 栅结型 场效应 晶体管 制作方法 应用 | ||
【主权项】：
1、一种垂直环绕栅结型场效应晶体管，其特征在于所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中，源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，沟道是垂直的；沟道与环绕栅形成一个pn结；源、漏区通过压焊块或金属引线与外电路实现电学连接。
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