[发明专利]相变存储器加热电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种相变存储器加热电极的制备方法，首先利用CVD技术在衬底上依次沉积SiO₂/S₃N₄/SiO₂介质层，接着使用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在顶层SiO₂上制备出直径为150～300nm的孔洞。之后，沉积S₃N₄ 100～200nm并刻蚀，连同一开始沉积的S₃N₄刻穿，在孔洞中形成出50～150nm厚的S₃N₄侧墙。最后，将S₃N₄侧墙作为硬掩膜把底层SiO₂刻蚀完，利用CVD技术填入W、TiN等电极材料，并进行化学机械抛光停在底层SiO₂上，形成直径100nm以下的柱状加热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。

主权项

1、一种相变存储器加热电极的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(a)利用CVD技术在衬底上依次沉积底层SiO2/绝缘材料/顶层SiO2介质层；(b)在步骤(a)获得的介质层上利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术制备孔洞，利用刻蚀技术将孔洞中的顶层SiO2刻蚀完，停留在绝缘材料层；(c)利用CVD技术在步骤(b)制备的结构上沉积绝缘材料；(d)利用刻蚀技术将步骤(c)沉积的绝缘材料和步骤(a)沉积在衬底上的绝缘材料一并刻蚀完毕，在孔洞中形成侧墙；(e)利用侧墙作为硬掩膜，将步骤(a)沉积的底层SiO2刻蚀完，停留在衬底上；(f)利用CVD技术在步骤(e)后形成的孔洞中填入金属材料作为加热电极材料；(g)利用CMP技术将表面抛平整，停留在步骤(a)中绝缘材料层或底层SiO2上，得到加热电极。