[发明专利]利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法无效
| 申请号： | 200910052443.4 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101565162A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 杨恒;吴燕红;成海涛;戴斌;李昕欣;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;G01L1/18 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法。其特征在于纳米梁上部的金属电极为阶梯形，电极两端与纳米梁间的间隙小于100纳米，而中间部分的电极间隙在1-2微米。所述的阶梯形电极两端与纳米梁形成MIS电容结构。当阶梯形电极与纳米梁间的电压超过MIS电容的阈值电压时，MIS电容下的空间电荷区达到最大值，空间电荷区下的电阻仅为应力的函数，可以用于纳米梁的压阻检测。阶梯形电极的中心部分由于间隙大，对纳米梁的电阻值影响小，中心部分对纳米梁的驱动效率高，用于对纳米梁实现静电驱动。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 阶梯 电极 实现 纳米 驱动 检测 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用阶梯形电极实现实现纳米梁驱动与压阻检测结构，其特征在于纳米梁上有一阶梯形电极，所述的阶梯形电极为一体结构，不是在一个平面内而是成阶梯形，纳米梁在两端处分别有一淡硼掺杂区，纳米梁的其他部分为浓硼掺杂区。
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