[发明专利]功率MOS晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200910052544.1 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101567338A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周;克里斯蒂安·皮尔森 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOS晶体管的制造方法，包括以下步骤：在生长有外延层的基底上形成沟槽；在所述沟槽中形成栅氧化层；在所述沟槽中成长高出所述沟槽的多晶硅；通过化学机械研磨对所述多晶硅进行平整化，形成高出所述沟槽的栅极；在所述基底上相邻栅极的区域通过光刻、离子注入形成源区；在相邻两个MOS晶体管的栅极的凸出部分的侧壁及所述源区形成侧墙，定义接触区；通过刻蚀在所述接触区形成接触孔；金属溅射。利用本方法大大简化了接触孔的制造步骤，减少了光刻胶的使用和相应光刻设备的使用，大大降低了制造难度和制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在生长有外延层的基底上形成沟槽；在所述沟槽中形成栅氧化层；在所述沟槽中成长高出所述沟槽的多晶硅；通过化学机械研磨对所述多晶硅进行平整化，形成高出所述沟槽的栅极；在所述基底上相邻栅极的区域通过光刻、离子注入形成源区；在相邻两个MOS晶体管的栅极的凸出部分的侧壁及所述源区形成侧墙，定义接触区；通过刻蚀在所述接触区形成接触孔；金属溅射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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