[发明专利]一种透明氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200910052552.6 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101567390A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 张群;卜东生;李桂锋;周俊 | 申请（专利权）人： | 上海广电(集团)有限公司中央研究院;复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/43;H01L29/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 200233*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及透明氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管的栅极、源极和漏极采用高迁移率掺杂氧化铟IMeO透明导电氧化物薄膜制作，并以透明氧化物半导体TOS为沟道层，构成TOS-IMeO全透明氧化物薄膜晶体管。所述制备方法以普通玻璃为基板，在300～350℃温度下进行磁控溅射2～30分钟，根据顶栅结构和底栅结构按各自不同的顺序形成透明氧化物半导体薄膜晶体管。所制作的薄膜晶体管具有良好的电导率、载流子迁移率以及光学透明性，本发明获得的全透明氧化物半导体薄膜晶体管在平板显示领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种透明氧化物半导体薄膜晶体管，包括：基板，分别形成于基板上方的栅、源和漏电极，用于隔离栅电极和源、漏电极的栅极绝缘层，以及用于连接源电极和漏电极的沟道层，其特征在于：所述的栅、源和漏电极均为掺杂氧化铟透明导电氧化物薄膜；所述的沟道层为透明氧化物半导体；所述的栅极绝缘层为透明绝缘介质。
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