[发明专利]一种CDSEM机台的校准方法

摘要

一种CDSEM机台的校准方法，属于半导体制造工艺设备技术领域。该发明提供的CDSEM机台的校准方法，采用多个FEM条件准备校准用的第一晶圆、第二晶圆，从而充分考虑了光刻机焦距漂移对CD尺寸的影响；并采用多次测量值的平均处理办法得到每个CDSEM的关键尺寸处理值，从而充分考虑了CDSEM机台自身的电荷效应影响。采用该方法校准CDSEM机台后，其测量CD值准确可靠，各个CDSEM机台测试结果之间相匹配和保持一致。

主权项

1.一种CDSEM机台的校准方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供用于CDSEM机台校准的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和第二晶圆是在同一批次下、在多个焦距漂移-曝光能量矩阵条件曝光显影形成；(2)第一晶圆在第一CDSEM机台上测量每个焦距漂移-曝光能量矩阵条件对应的关键尺寸；(3)第一晶圆在第二CDSEM机台上测量每个焦距漂移-曝光能量矩阵条件对应的关键尺寸；(4)第二晶圆在第二CDSEM机台上测量每个焦距漂移-曝光能量矩阵条件对应的关键尺寸；(5)第二晶圆在第一CDSEM机台上测量每个焦距漂移-曝光能量矩阵条件对应的关键尺寸；(6)第(2)步骤和第(5)步骤测量得出的关键尺寸中，每个焦距漂移-曝光能量矩阵条件下的关键尺寸对应相加后作平均处理，得到第一CDSEM机台的关键尺寸处理值，第(3)步骤和第(4)步骤测量得出的关键尺寸中，每个焦距漂移-曝光能量矩阵条件下的关键尺寸对应相加后作平均处理，得到第二CDSEM机台的关键尺寸处理值；(7)根据所述第一CDSEM机台的关键尺寸处理值和第二CDSEM机台的关键尺寸处理值，作线性回归计算处理，得到第一CDSEM机台测量的关键尺寸与第二CDSEM机台测量的关键尺寸之间的校准方程。