[发明专利]一种多阈值场MOSFET和多阈值场MOSFET组有效
| 申请号： | 200910052708.0 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101635311A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;张拥华;周建华;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L27/088;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多阈值场MOSFET和多阈值场MOSFET组，属于金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。多阈值场MOSFET包括栅电极、栅介质层、沟道区域、源极、漏极以及半导体衬底，所述栅介质层为浅沟槽隔离介质层，所述栅电极构图置于栅介质层之上，所述栅介质层包括被栅电极覆盖的第一部分栅介质层和未被栅电极覆盖的第二部分栅介质层，通过栅电极的构图，调整第二部分栅介质层与第一部分栅介质层的面积比，导致单位面积电容Cox变化来确定所述多阈值场MOSFET的阈值电压。该多阈值场MOSFET具有阈值电压易于实现变化的特点。以若干个该多阈值场MOSFET组成的多阈值场MOSFET组具有不同阈值电压的特性的同时，制造工艺简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种多阈值场MOSFET，包括栅电极、栅介质层、沟道区域、源极、漏极以及半导体衬底，所述栅介质层为浅沟槽隔离介质层，其特征在于，所述栅电极构图形成于栅介质层之上，所述栅介质层包括被栅电极覆盖的第一部分栅介质层和未被栅电极覆盖的第二部分栅介质层，通过栅电极的构图修改第二部分栅介质层与第一部分栅介质层的面积比，以调整所述多阈值场MOSFET的阈值电压。
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