[发明专利]在还原性气氛中感应加热提拉生长晶体的方法无效

专利信息
申请号: 200910052731.X 申请日: 2009-06-09
公开(公告)号: CN101575730A 公开(公告)日: 2009-11-11
发明(设计)人: 周圣明;林辉 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/14
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 张泽纯
地址: 201800上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种在还原性气氛中感应加热提拉生长晶体的方法,其特点在于:将钨坩埚或钼坩埚置于硬石墨毡上,再在硬石墨毡及坩埚之外卷裹多层软石墨毡,之后套于石英桶内,整体放在提拉晶体炉内的感应线圈内,置于炉膛底部的托盘上,将原料装入坩埚内,再在坩埚上方放置硬石墨毡保温罩或氧化锆保温罩,盖上硬石墨毡保温罩盖或氧化锆保温罩盖,封闭炉门,抽真空,充入保护气氛至正压后,按常规方法进行晶体生长,晶体生长结束后,在空气、氧气或其它气氛中退火。本发明的优点在于:利用石墨毡提供还原性气氛,从而可以使用廉价的钨、钼坩埚,能低成本生长蓝宝石、铝酸锂等晶体,通用性好,设备简单,非常适合规模化生产。
搜索关键词: 原性 气氛 感应 加热 生长 晶体 方法
【主权项】:
1、一种在还原性气氛中感应加热提拉生长晶体的方法,其特征在于:将钨坩埚或钼坩埚置于硬石墨毡上,再在硬石墨毡及坩埚之外卷裹多层软石墨毡,之后套于石英桶内,整体放在提拉晶体炉内的感应线圈内,置于炉膛底部的托盘上,将原料装入坩埚内,再在坩埚上方放置硬石墨毡保温罩或氧化锆保温罩,盖上硬石墨毡保温罩盖或氧化锆保温罩盖,封闭炉门,抽真空,充入保护气氛至正压后,按常规方法进行晶体生长,晶体生长结束后,在空气、氧气或其它气氛中退火。
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