[发明专利]一种四晶体管SRAM单元制造方法有效
| 申请号： | 200910052809.8 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101640187A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L21/336;H01L21/283;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种四晶体管SRAM单元制造方法，通过在制作晶体管栅极的过程中，利用标准CMOS逻辑工艺现有的沉积无掺杂Poly的步骤，在对应于晶体管的区域沉积无掺杂Poly的同时，也在对应于高阻值负载电阻的区域沉积无掺杂Poly，刻蚀除去多余的Poly以形成晶体管的Poly栅极和高阻值负载电阻，然后再对晶体管的Poly栅极进行掺杂，实现了无需额外沉积一层无掺杂Poly并进行刻蚀以形成高阻值负载电阻的目的，在不影响器件性能的条件下完成了与标准CMOS逻辑工艺的兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 sram 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种四晶体管SRAM单元制造方法，所述四晶体管SRAM单元包括四个晶体管和一对高阻值负载电阻，所述晶体管的栅极制作过程包括：在对应于晶体管的区域沉积无掺杂多晶硅并进行刻蚀以形成多晶硅栅极，然后通过离子注入对晶体管的多晶硅栅极进行掺杂，其特征在于，所述方法在对应于晶体管的区域沉积无掺杂多晶硅的同时，也在对应于高阻值负载电阻的区域沉积无掺杂多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
