[发明专利]CMOS传感器及其制造方法无效

申请号：	200910052943.8	申请日：	2009-06-11
公开（公告）号：	CN101924074A	公开（公告）日：	2010-12-22
发明（设计）人：	罗飞;邹立	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号：	H01L21/8238	分类号：	H01L21/8238;H01L21/768;H01L21/28;H01L27/146;H01L23/528
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	李丽
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	一种CMOS传感器及其制造方法，其中CMOS传感器制造方法包括：在第一金属层间介质层表面形成第二金属层和电容器第一电极；形成覆盖所述第一金属层间介质层、所述第二金属层和所述电容器第一电极的第二金属层间介质层；在所述第二金属层间介质层内形成暴露所述电容器第一电极的沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部形成介质层；在所述第二金属层间介质层内形成暴露所述第二金属层的通孔；用金属填充所述沟槽和通孔；在沟槽上形成与所述电容器第一电极对应的第二电极，在通孔上形成与所述第二金属层对应的第三金属层。本发明节约了工艺步骤，降低了CMOS传感器的第一金属层间介质层和第二金属层间介质层的总厚度，提高CMOS图像传感器敏感度。
搜索关键词：	cmos 传感器及其制造方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

一种CMOS传感器的制造方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成第一金属层；在所述基底和所述第一金属层表面形成覆盖所述基底和所述第一金属层的第一金属层间介质层；在所述第一金属层间介质层内形成与所述第一金属层对应的第一导电插塞；其特征在于，还包括：在所述第一金属层间介质层表面形成第二金属层和电容器第一电极；在所述第一金属层间介质层、所述第二金属层和所述电容器第一电极表面形成覆盖所述第一金属层间介质层、所述第二金属层和所述电容器第一电极的第二金属层间介质层；在所述第二金属层间介质层内形成暴露所述电容器第一电极的沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部形成介质层；在所述第二金属层间介质层内形成暴露所述第二金属层的通孔；用金属填充所述沟槽和通孔；在沟槽上形成与所述电容器第一电极对应的第二电极，在通孔上形成与所述第二金属层对应的第三金属层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910052943.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]CMOS传感器及其制造方法无效

专利文献下载