[发明专利]MOSFET BSIM3热载流子注入可靠性模型的建模方法

摘要

一种MOSFET BSIM3 HCI可靠性模型的建模方法，属于集成电路器件模拟技术领域。在该建模方法中选取与偏压大小条件相关的第一标准参数作，使该方法建立的BSIM3 HCI可靠性模型其具有清晰的物理意义及高度的准确性，能够对不同偏压条件下不同偏压时间的MOSFET电学特性进行准确模拟，其模拟输出曲线能反映MOSFET特性随施压偏压及其偏压时间明显变化的现象。因此，对标准工艺MOSFET HCI效应进行可靠性设计成为可能，大大降低集成电路设计的风险与成本。

主权项

1.一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM3热载流子注入可靠性模型的建模方法，其特征在于包括以下步骤：(1)根据通用的MOSFET晶体管BSIM3 SP ICE仿真模型，选取与偏压大小条件相关的第一标准参数、以及与偏压时间条件相关的第二标准参数；(2)对每个标准参数，依次选取可靠性参数作为其调制因子，得出每个第一标准参数关于偏压大小条件的计算公式，或者得出第二标准参数关于偏压时间条件的计算公式；(3)根据标准工艺MOSFET晶体管，选择不同偏压大小条件下进行测量，并使用所述MOSFET晶体管BSIM3 SPICE通用的仿真模型进行参数提取，提取每个第一标准参数在不同偏压大小条件下的数值，推导出所述调制因子的数值，确定每个第一标准参数的计算公式；(4)根据标准工艺MOSFET晶体管，选择不同偏压时间条件下进行测量，并使用所述通用的MOSFET晶体管BSIM3 SPICE仿真模型进行参数提取，提取每个第二标准参数在不同偏压大小条件下的数值，推导出所述调制因子的数值，确定每个第二标准参数的计算公式；其中，Vds表示MOSFET的漏极和源极之间的电压。