[发明专利]一种钨栓塞的制备方法无效
| 申请号： | 200910052969.2 | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101635273A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 孙阳;吴明龙 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种钨栓塞的制备方法，属于半导体制造技术领域。在制备方法过程中，包括通过对包括第一空洞的钨金属进行回刻蚀、打开第一空洞步骤，因此，可以实现钨栓塞中无空洞或者大大缩小空洞。该方法制备的钨栓塞具有电阻低、可靠性高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栓塞 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钨栓塞的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供在层间介质层中形成有孔洞结构的半导体衬底，沉积扩散阻挡层；(2)在所述扩散阻挡层上沉积钨金属以填充孔洞；(3)通过对包括第一空洞的钨金属进行回刻蚀，打开第一空洞；(4)沉积钨金属填充所述孔洞及第一空洞；(5)去除层间介质层之上的多余钨金属。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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