[发明专利]相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法有效
| 申请号： | 200910053040.1 | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101572292A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 吴良才;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法，即由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物(简称阻变材料)组成叠层存储单元结构实现多态存储。相变材料在电脉冲作用下可以发生非晶(高阻)、多晶(低阻)可逆转变，阻变材料在电脉冲作用下也可以发生高阻态、低阻态的可逆变化。二者结合可以产生三个及三个以上的阻态，从而实现多态存储。器件单元结构由上电极、存储介质(由相变材料和阻变材料形成的两层及两层以上叠层结构)、导电塞、底电极、衬底等组成。本发明的目的是提出一种实现多态存储的方法及器件结构和相应的制作方法，利用相变材料的相变和阻变材料的阻变来达到多态存储。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 合二为一 实现 存储 存储器 单元 方法 | ||
【主权项】：
1、相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元，包括底电极、绝缘介质层和顶电极，其特征在于所述的存储器单元结构为以下两种中的任一种：A结构(a)绝缘介质层上制备有纳米级孔洞，在孔洞中填充金属导电材料，形成导电塞；(b)导电塞上依次沉积阻变材料和相变材料，或依次沉积相变材料和阻变材料，形成相变和阻变合二为一的两层或两层以上的叠层结构作为存储单元；B结构(a)绝缘介质层上制备有纳米级孔洞，在孔洞中填充有金属导电材料，形成导电塞；(b)将导电塞顶端氧化形成阻变氧化物塞；(c)在阻变氧化物塞上依次沉积相变材料和阻变材料，或依次沉积阻变材料和相变材料，形成相变和阻变合二为一的两层或两层以上的叠层结构作为存储单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910053040.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
