[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200910053051.X | 申请日： | 2009-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101924102A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 陈德威 | 申请（专利权）人： | 慧国(上海)软件科技有限公司;慧荣科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/52;H01F37/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 200433 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，上述半导体装置包括一顶层内连线金属层(Mtop)图案；一顶层下一层内连线金属层(Mtop-1)图案，位于上述顶层内连线金属层图案的正下方；一第一介层孔插塞图案，垂直设置于上述顶层内连线金属层图案与上述顶层下一层内连线金属层图案之间，且电性连接上述顶层内连线金属层图案与上述顶层下一层内连线金属层图案，其中从俯视方向看去，上述顶层内连线金属层图案、上述顶层下一层内连线金属层图案与上述第一介层孔插塞图案具有相互平行的轮廓。本发明的半导体装置可在相同的布局面积下具有庞大的厚度，可大为降低电感元件的电阻值，提升电感元件的品质系数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一顶层内连线金属层(Mtop)图案；一顶层下一层内连线金属层(Mtop 1)图案，位于该顶层内连线金属层图案的正下方；以及一第一介层孔插塞图案，垂直设置于该顶层内连线金属层图案与该顶层下一层内连线金属层图案之间，且电性连接该顶层内连线金属层图案与该顶层下一层内连线金属层图案，其中从俯视方向看去，该顶层内连线金属层图案、该顶层下一层内连线金属层图案与该第一介层孔插塞图案具有相互平行的轮廓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
