[发明专利]掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法

摘要

本发明涉及一种掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法。该掺杂改性的相变材料的组成表达式为(Sb₂Se₃)_100-xY_x，其中x是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤20，Y代表掺杂的元素，包括Ni、Cr、Bi、As、Ga、In、Ge、Si、Sn、Ag、Al、C、N或O中任一种。该掺杂改性的(Sb₂Se₃)_100-xY_x存储材料不仅保留了Sb₂Se₃存储材料的相变速度快、熔点低等优点，而且结晶温度得到提高，从而克服了Sb₂Se₃存储材料数据保持力差的缺点。包含该(Sb₂Se₃)_100-xY_x存储材料的相变存储器具有高速、低功耗、良好数据保持力等优越性。

主权项

1.一种掺杂改性的相变材料，其特征在于：其组成表达式为(Sb2Se3)100-xYx，其中的x是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤20，Y代表掺杂的元素。