[发明专利]薄膜晶体管阵列基板制造方法无效
申请号: | 200910053395.0 | 申请日: | 2009-06-19 |
公开(公告)号: | CN101587861A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 谭莉;吴宾宾 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/768;H01L21/78 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 白璧华 |
地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法,该制造方法对栅层和硅岛层合用一道光罩,钝化层和透明导电层合用一道光罩,从而由5道光罩变为3道光罩实现,因而减少了两道光罩工序,简化制造过程,降低成本,提高产量。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:提供一基板,并在该基板上连续沉积第一层金属、栅绝缘层、半导体层和一第一光刻胶层,利用一第一光罩形成栅线、栅极、栅焊盘以及硅岛,所述硅岛上留有光刻胶层;在该基板上二次沉积栅绝缘层覆盖栅线、栅极和栅焊盘,之后进行剥离,露出硅岛;在该基板上继续沉积第二金属层和一第二光刻胶层,利用一第二光罩形成数据线、源极、漏极和数据焊盘;在该基板上继续沉积钝化层和一第三光刻胶层,利用一第三光罩形成接触孔,并通过灰化,去掉像素区域的光刻胶,保留其他区域光刻胶;在该基板上沉积ITO透明导电层,经过剥离工序,使得非像素区的ITO与光刻胶一起被剥离掉,形成像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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