[发明专利]薄膜晶体管阵列基板制造方法无效

专利信息
申请号: 200910053395.0 申请日: 2009-06-19
公开(公告)号: CN101587861A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 谭莉;吴宾宾 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/768;H01L21/78
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 白璧华
地址: 200233上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法,该制造方法对栅层和硅岛层合用一道光罩,钝化层和透明导电层合用一道光罩,从而由5道光罩变为3道光罩实现,因而减少了两道光罩工序,简化制造过程,降低成本,提高产量。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:提供一基板,并在该基板上连续沉积第一层金属、栅绝缘层、半导体层和一第一光刻胶层,利用一第一光罩形成栅线、栅极、栅焊盘以及硅岛,所述硅岛上留有光刻胶层;在该基板上二次沉积栅绝缘层覆盖栅线、栅极和栅焊盘,之后进行剥离,露出硅岛;在该基板上继续沉积第二金属层和一第二光刻胶层,利用一第二光罩形成数据线、源极、漏极和数据焊盘;在该基板上继续沉积钝化层和一第三光刻胶层,利用一第三光罩形成接触孔,并通过灰化,去掉像素区域的光刻胶,保留其他区域光刻胶;在该基板上沉积ITO透明导电层,经过剥离工序,使得非像素区的ITO与光刻胶一起被剥离掉,形成像素电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海广电光电子有限公司,未经上海广电光电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910053395.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top