[发明专利]四周环绕栅极鳍栅晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200910053502.X | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101604705A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 王曦;魏星 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 201821*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种四周环绕栅极鳍栅晶体管器件，包括：衬底；于衬底表面依次设置的绝缘层与半导体层，所述绝缘层靠近半导体层的表面具有一凹陷，所述半导体层包括位于凹陷处上方的悬空部分；栅介质层，所述栅介质层环绕半导体层位于凹槽上方的悬空部分；控制栅，所述控制栅设置于绝缘层表面，且所述控制栅包括环绕所述栅介质层的部分；以及源极和漏极区域。本发明的优点在于，能够提高栅极对导电沟道的控制能力，提高晶体管的电学性能，并且具有高集成度、低成本等的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 四周 环绕 栅极 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种四周环绕栅极鳍栅晶体管器件，其特征在于，包括：衬底；于衬底表面依次设置的绝缘层与半导体层，所述绝缘层靠近半导体层的表面具有一凹陷，所述半导体层包括位于凹陷处上方的悬空部分；栅介质层，所述栅介质层环绕半导体层位于凹槽上方的悬空部分；所述被栅介质层环绕的半导体层悬空部分具有第一导电类型，悬空部分两侧的半导体层具有第二导电类型；控制栅，所述控制栅设置于绝缘层表面，且所述控制栅包括环绕所述栅介质层的部分；以及源极和漏极区域，位于悬空部分两侧的半导体层中，且紧靠半导体层悬空部分的两侧，具有第二导电类型。
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