[发明专利]半导体硅片的清洗方法和装置有效
| 申请号： | 200910053774.X | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101927242A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王坚;S·V·纳其;谢良智;武俊萍;贾照伟;黄允文;高志峰;马悦;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种利用超声波或兆声波装置清洗半导体衬底的方法，包括利用一个硅片夹夹住半导体衬底，将一套超声波或兆声波装置置于半导体衬底附近，喷射化学液体到半导体衬底及半导体衬底与超声波或兆声波装置之间的间隙中，在清洗过程中，硅片夹旋转的同时，控制半导体衬底或超/兆声波装置沿顺时针或逆时针方向转动，从而改变半导体衬底和超声波或兆声波装置之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 清洗 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种利用超声波或兆声波装置清洗半导体衬底的方法，包含：利用一个硅片夹夹住半导体衬底；将一套超/兆声波装置置于接近半导体衬底的位置；利用至少一个喷嘴将化学液体喷射到半导体衬底及半导体衬底与超声波或兆声波装置之间的间隙中；通过改变半导体衬底和超/兆声波装置之间的角度，从而改变半导体衬底和超/兆声波装置之间的距离。
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