[发明专利]具有过电压和反向电压保护功能的接口器件输出级电路及其实现方式无效
| 申请号： | 200910053925.1 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101826865A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 杨永华;葛利明 | 申请（专利权）人： | 上海英联电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/007 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 具有过电压和反向电压保护功能的接口器件输出级电路及其实现方式，采用背对背联接的P型MOSFET和N型MOSFET构成输出级电路，P型MOSFET和N型MOSFET的衬底连接采用浮动阱隔离。使得输出级电路能够承受高于电源电压的过电压输入和低于地电位的反向电压，而不会损伤电路本身。解决了发送器接口与总线上数据完全独立的难点及输出斜率控制问题，且结构简单，其限制仅受栅衬之间击穿电压影响。同时该电路仅需改变输出管尺寸，即可调整其驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 过电压 反向 电压 保护 功能 接口 器件 输出 电路 及其 实现 方式 | ||
【主权项】：
具有斜率控制的宽摆幅输出CMOS驱动电路，其特征是：利用传输门作为延迟电路，控制输出管的导通数量及程度；利用浮阱技术来实现与总线上数据的有效隔离。
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