[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 200910054405.2 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101937175A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;黄怡;张世谋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻方法，包括：在显影后，使用干法蚀刻的方法修剪光阻图形，在所述干法蚀刻时采用偏置电压。所述光刻方法使得蚀刻气体离子与光阻图形进行蚀刻反应的位置更加精确，提高了修剪光阻图形的质量。从而通过修剪光阻图形，相应减小了后续蚀刻形成的半导体结构的线宽粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，其特征在于，包括：在显影后，使用干法蚀刻的方法修剪光阻图形，在所述干法蚀刻时采用偏置电压。
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