[发明专利]掩膜制作方法有效
| 申请号： | 200910054504.0 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101943853A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 田明静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/08;G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了掩膜制作方法，以提高掩膜质量，该方法包括步骤：提供电路原始图形；在电路原始图形之间添加辅助图形，以提高图形密度分布的均匀度；提供包含不透光层与相位移层的基板；将电路原始图形及辅助图形构成的整个图形转移至所述不透光层上，形成不透光层图形；用光刻胶覆盖不透光层图形中的辅助图形区域，并暴露出不透光层图形中的原始图形区域；干法刻蚀所述暴露出的原始图形区域下的相位移层，将不透光层图形中的原始图形转移至相位移层，形成相位移层图形；去除所述光刻胶及不透光层。 | ||
| 搜索关键词： | 制作方法 | ||
【主权项】：
一种掩膜制作方法，包括：提供电路原始图形；在电路原始图形之间添加辅助图形，以提高图形密度分布的均匀度，所述辅助图形及原始图形均为透光型图形；提供包含不透光层与相位移层的基板；将电路原始图形及辅助图形构成的整个图形转移至所述不透光层上，形成不透光层图形；用光刻胶覆盖不透光层图形中的辅助图形区域，并暴露出不透光层图形中的原始图形区域；干法刻蚀所述暴露出的原始图形区域下的相位移层，将不透光层图形中的原始图形转移至相位移层，形成相位移层图形；去除所述光刻胶及不透光层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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