[发明专利]栅极制造方法无效
| 申请号： | 200910054582.0 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101944481A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李志国;蒙飞;林竟尧;王培仁;司伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种栅极制造方法，该方法包括：提供一基底；在所述基底上形成栅极，所述栅极包括介电层及位于该介电层上的导电层；对所述栅极执行腔内水蒸气氧化工艺，在所述栅极表面形成氧化层，并在所述导电层的底部角落处形成修复氧化层。该方法工艺简单，通过对所述栅极执行腔内水蒸气氧化工艺，在所述栅极上形成氧化层，能够修复栅极侧壁刻蚀损伤，并在所述导电层的底部角落处形成修复氧化层，所述修复氧化层和介电层中的顶部氧化层共同作为阻挡氧化层，避免电子穿透介电层的边缘位置，提高了存储器件的可靠性，并可节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极制造方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成栅极，所述栅极包括介电层及位于该介电层上的导电层；对所述栅极执行腔内水蒸气氧化工艺，在所述栅极表面形成氧化层，并在所述导电层的底部角落处形成修复氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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