[发明专利]晶圆清洗方法无效
| 申请号： | 200910054583.5 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101944476A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 肖志强;董新宽;贾会静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/04;B08B1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种晶圆清洗方法，包括如下步骤：提供一晶圆；利用热去离子水冲洗所述晶圆，其中所述热去离子水具有预设温度，所述预设温度介于50℃至99℃之间；以及干燥所述晶圆。本发明利用热去离子水冲洗晶圆，由于所述热去离子水具有较高的温度，因此其具有更高的分子动能，可更有效的破坏污染物与晶圆表面的粘附性，提高颗粒去除效率，达到了极佳的清洗效果；且本发明并未引进新的化学试剂，不会对半导体器件带来任何副作用。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：提供一晶圆；利用热去离子水冲洗所述晶圆，其中所述热去离子水具有预设温度，所述预设温度介于50℃至99℃之间；以及干燥所述晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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