[发明专利]一种圆片级封装多层互连结构、制作方法及应用有效
申请号: | 200910054616.6 | 申请日: | 2009-07-10 |
公开(公告)号: | CN101656249A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 丁晓云;耿菲;罗乐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L27/00;H01L23/522;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于微波多芯片模块圆片级封装的多层互连结构、制备方法及其应用。特征在于利用苯并环丁烯BCB等作为介质层,以光刻、电镀、机械抛光等圆片级加工工艺相结合实现金属/有机聚合物的多层互连结构,并可嵌入集成多种无源元器件和互连传输线。整个工艺过程与IC工艺相匹配,并在圆片级的基础上完成,具有较高的封装集成度和较低的高频传输损耗。该结构在提高封装密度和集成度,降低封装成本的同时可以有效地集成多种功能器件单元,减小各元器件间的互连损耗,提高整个模块的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 圆片级 封装 多层 互连 结构 制作方法 应用 | ||
【主权项】:
1、一种圆片级封装的多层互连结构,其特征在于:(1)多层互连结构是由金属层和介质层交替出现形成的;(2)至少有一个无源器件镶嵌到多层互连结构中;(3)镶嵌其中的无源器件和层间垂直互连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910054616.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类