[发明专利]在芯片上构造通孔的方法无效
| 申请号： | 200910054837.3 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101958274A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 韩宝东;赵林林;张海洋;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在芯片上构造通孔的方法，所述芯片的最下层为单晶硅构成的硅基底(101)，在硅基底(101)之上依次为层间介质(102)、阻挡金属层(103)以及光刻胶(104)，所述光刻胶(104)通过在先的图案转印工艺形成特定的图形，使得阻挡金属层(103)的部分表面未覆盖光刻胶，该方法包括如下步骤：将所述芯片水平置于反应室中，向反应室中通入组分为四氟化碳(CF4)和二氟二氢化碳(CH2F2)反应气体；将反应气体电离成等离子体，并将反应室施加垂直方向的电压并保持长度为T的一段时间。相对于现有技术，本发明方案可以实现更小的通孔关键尺寸，并使通孔的横截面更加接近矩形。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 构造 方法 | ||
【主权项】：
一种在芯片上构造通孔的方法，所述芯片的最下层为单晶硅构成的硅基底(101)，在硅基底(101)之上依次为层间介质(102)、阻挡金属层(103)以及光刻胶(104)，所述光刻胶(104)通过在先的图案转印工艺形成特定的图形，使得阻挡金属层(103)的部分表面未覆盖光刻胶，该方法包括如下步骤：将所述芯片水平置于反应室中，向反应室中通入组分为四氟化碳CF4和二氟二氢化碳CH2F2反应气体；将反应气体电离成等离子体，并将反应室施加垂直方向的电压并保持长度为T的一段时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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