[发明专利]光刻刻蚀制作工艺无效
| 申请号： | 200910054926.8 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958234A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 马飞;杨晨;任晓梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻刻蚀制作工艺，包括制作半导体器件，在所述半导体器件上生长隔离层，在所述隔离层上生长介电层，在所述介电层上生长硬掩膜层，涂刷光阻剂，用短波长的光通过图案化的掩膜照射所述光阻剂，进行湿法刻蚀，再进行干法刻蚀，本发明光刻刻蚀制作工艺优化了此项传统工艺，解决了在湿法刻蚀过程中由于光刻胶与电介质黏附能力限制引起的光刻胶脱落问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 刻蚀 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种光刻刻蚀制作工艺，包括以下步骤：制作半导体器件；在所述半导体器件上生长隔离层；在所述隔离层上生长介电层；涂刷光阻剂；用照明光通过图案化的掩膜照射所述光阻剂；进行光刻刻蚀工艺处理；其特征在于：在涂刷光阻剂之前，还包括在所述介电层上生长硬掩膜层的步骤；所述光刻刻蚀工艺处理过程为先进行湿法刻蚀，再进行干法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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