[发明专利]化学机械研磨制程的研磨终点判断方法有效
| 申请号： | 200910054931.9 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101954621A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 张伟光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B24B49/12 | 分类号： | B24B49/12;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种化学机械研磨制程的研磨终点判断方法，该方法包括：提供一晶片，所述晶片包括基底和位于所述基底上的待研磨层；提供光束照射所述晶片；对所述晶片进行化学机械研磨制程；获取所述光束的反射强度曲线；根据所述反射强度曲线判断剩余的待研磨层厚度，以判断是否达到该化学机械研磨制程的研磨终点。本发明简单实用，不受研磨液、研磨垫以及研磨压力等因素的影响，可以精确地控制研磨终点，提高了化学机械研磨制程的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 终点 判断 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨制程的研磨终点判断方法，包括：提供一晶片，所述晶片包括基底和位于所述基底上的待研磨层；提供光束照射所述晶片；对所述晶片进行化学机械研磨制程；获取所述光束的反射强度曲线；根据所述反射强度曲线判断剩余的待研磨层厚度，以判断是否达到该化学机械研磨制程的研磨终点。
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