[发明专利]掩模版图修正方法、掩模版制作方法和光学邻近校正方法有效
| 申请号： | 200910054943.1 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101957555A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 李承赫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掩模版图修正方法、掩模版制作方法和光学邻近校正方法，其中所述掩模版图修正方法，包括：检查掩膜版图，判断是否存在会产生旁瓣的区域；如果不存在，则将所述掩模版图作为新的掩模版图，停止对其进行修正；如果存在，继续进入下一步修正；在所述掩膜版图产生旁瓣的区域内添加辅助图形，形成新的掩膜版图，重新检查掩模版图，直至新的掩膜版图中不再出现会产生旁瓣的区域，修正停止。本发明根据将掩模版图各区域的曝光能量与阈值相比较，添加辅助图形，从而抑制旁瓣效应，实施简单，不影响其它的工艺参数，且有利于提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 模版 修正 方法 制作方法 光学 邻近 校正 | ||
【主权项】：
一种掩模版图修正方法，其特征在于，包括：检查掩膜版图，判断是否存在会产生旁瓣的区域；如果不存在，则将所述掩模版图作为新的掩模版图，停止对其进行修正；如果存在，继续进入下一步修正；在所述掩膜版图产生旁瓣的区域内添加辅助图形，形成新的掩膜版图，重新检查掩模版图，直至新的掩膜版图中不再出现会产生旁瓣的区域，修正停止。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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