[发明专利]提高MOS晶体管载流子迁移率的方法有效
| 申请号： | 200910054948.4 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958249A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;C23C16/44;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高MOS晶体管载流子迁移率的方法，该方法包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上具有栅极；以TEOS和O2为原料，利用LPCVD的方法形成覆盖所述栅极和所述栅极两侧的半导体基底上表面的氧化物层，当所述半导体基底将形成NMOS晶体管时，则其中O2和TEOS的流量比小于7∶100，当所述半导体基底将形成PMOS晶体管时，则其中O2和TEOS的流量比大于7∶100；刻蚀所述氧化物层，形成栅极的侧壁结构；向所述栅极及其侧壁结构两侧的半导体基底中掺杂杂质离子，上述方法提高了MOS晶体管中的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 mos 晶体管 载流子 迁移率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高MOS晶体管载流子迁移率的方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上具有栅极；以TEOS和O2为原料，利用LPCVD的方法形成覆盖所述栅极和所述栅极两侧的半导体基底上表面的氧化物层，当所述半导体基底将形成NMOS晶体管时，则其中O2和TEOS的流量比小于7∶100，当所述半导体基底将形成PMOS晶体管时，则其中O2和TEOS的流量比大于7∶100；刻蚀所述氧化物层，形成栅极的侧壁结构；向所述栅极及其所述侧壁结构两侧的半导体基底中掺杂杂质离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
