[发明专利]CMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910054961.X | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958328A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;季明华;吴汉明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/04;H01L29/06;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS器件及其制造方法，其中CMOS器件包括：硅基底，依次位于硅基底上的第一埋氧层、第一顶层硅以及第二埋氧层、第二顶层硅；所述第一顶层硅与第二顶层硅的晶向不相同；以第一顶层硅为基底形成的第一场效应晶体管；以第二顶层硅为基底形成并与第一场效应晶体管对准的第二场效应晶体管；所述第一场效应晶体管与第二场效应晶体管的导电类型不同。本发明所提供的CMOS器件中，NMOS晶体管以及PMOS晶体管形成导电沟道的基底晶向分别为<100>以及<110>，有利于提高各自载流子的迁移率，进一步提高CMOS器件的响应速度，且通过将晶体管堆叠辅以多层埋氧层对各晶体管基底绝缘，解决衬底漏电流问题。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS器件，其特征在于，包括：硅基底，依次位于硅基底上的第一埋氧层、第一顶层硅以及第二埋氧层、第二顶层硅；所述第一顶层硅与第二顶层硅的晶向不相同；以第一顶层硅为基底形成的第一场效应晶体管；以第二顶层硅为基底形成并与第一场效应晶体管对准的第二场效应晶体管；所述第一场效应晶体管与第二场效应晶体管的导电类型不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
