[发明专利]导电氧化物薄膜的电刻蚀装置及方法有效
| 申请号： | 200910055089.0 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101656198A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡传兵;王晓祺;刘志勇;鲁玉明;周文谦 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种导电氧化物薄膜的电刻蚀装置及方法。本电刻蚀装置包括电源、与电源电连接的第一电极和第二电极，第一电极与导电氧化物薄膜定位电连接，第二电极呈针状与导电氧化物薄膜移动电接触。本电刻蚀方法的操作步骤：将第一电极的两端分别与电源和导电氧化物薄膜电连接，将第二电极的一端与电源电连接，另一端呈针状并与导电氧化物薄膜移动电接触；调制电源的电压，将第二电极沿预电刻蚀图案方向移动，便电刻蚀形成表面图案。本发明在电刻蚀过程中破坏导电氧化物薄膜的导电氧化物晶体结构或化学计量比，很大程度地简化了刻蚀工艺，同时降低了制备成本和缩短了刻蚀时间。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 氧化物 薄膜 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电氧化物薄膜的电刻蚀装置，包括电源(21)，其特征在于有与所述电源(21)的正、负电极分别电连接的第一电极(22)和第二电极(23)；第一电极(22)的一端与所述电源(21)电连接，另一端与待电刻蚀导电氧化物薄膜(1)定位电连接，所述第二电极(23)的一端与所述电源(21)电连接，另一端呈针状与所述导电氧化物薄膜(1)移动电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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