[发明专利]导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元有效
| 申请号： | 200910055148.4 | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101615655A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 宋三年;宋志棠;刘波;吴良才;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元，该相变存储器单元包括位于底电极与硫系化合物薄膜层之间的导电氧化物过渡层，其厚度控制在2～10nm。所述导电氧化物过渡层具有良好的热稳定性；与介质材料、硫系化合物、W电极都有良好的粘附性；具有较低的热导率，能有效改善器件的热效率；具有较好的导电特性可以避免引入较大的电容。通过植入新型的导电氧化物过渡层材料，可有效的提高器件的加热效率，从而降低操作的电压，并且能有效抑制相变材料中的Sb与Te两种元素向底W电极方向的扩散，且过渡层不会与底W电极以及相变材料发生化学反应，从而保证了器件循环使用时操作的一致性，提高了器件寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 氧化物 过渡 相变 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种导电氧化物过渡层，应用于相变存储器，所述相变存储器包括底电极和硫系化合物薄膜层，其特征在于：所述导电氧化物过渡层位于底电极与硫系化合物薄膜层之间；所述导电氧化物过渡层的材料为具有导电特性的氧化物。
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