[发明专利]一种厚光阻的多重曝光方法无效
| 申请号： | 200910055190.6 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101655669A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陈蕾;赖强;鲍晔;胡林;周孟兴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于厚光阻的多重曝光方法，属于光刻技术领域。本发明曝光方法中，通过N(N为大于或等于2的整数)次曝光对厚光阻的同一预定区域曝光，每次曝光的曝光能量小于厚光阻单次曝光的光刻技术的曝光能量的N分之一。使用该发明的曝光方法对厚光阻进行曝光时，具有成像质量高、光刻机寿命长的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 厚光阻 多重 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多重曝光方法，用于对晶圆上的厚光阻曝光，其特征在于，通过N次曝光对厚光阻的同一预定区域进行曝光，每次曝光的曝光能量小于或等于对所述厚光阻仅作单次曝光的光刻技术的曝光能量的N分之一；其中所述N为大于或等于二的整数。
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