[发明专利]薄膜晶体管的制备方法无效
| 申请号： | 200910055286.2 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101599437A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李桂锋;张群;周俊 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 包兆宜 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属薄膜晶体管技术领域，涉及薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材，在室温条件下用磁控溅射技术在基板上生长具有透明非晶结构的铟锌氧化物半导体薄膜，形成薄膜晶体管的沟道层；采用热蒸发法在沟道层上制备源电极和漏电极；采用提拉或旋涂法在源电极和漏电极上面覆盖一层聚乙烯吡咯烷酮有机溶液制成的有机介质层薄膜；并采用热蒸发法在有机介质层薄膜上制备栅电极。所述靶材中的In∶Zn的原子比为0.5至5.0。本方法可制备具有良好电子光学性能的新型透明薄膜晶体管，其制备温度低，工艺简单，有利于大面积生产，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管制备方法，该薄膜晶体管由透明氧化物半导体层、源电极、漏电极、有机介质层、以及栅电极组成，其特征在于，所述制备方法包括步骤：-采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材，在室温条件下利用磁控溅射技术，在基板上生长具有非晶结构的铟锌氧化物半导体(a-In-Zn-O)薄膜，形成透明氧化物半导体薄膜作为薄膜晶体管沟道层；-采用热蒸发方法在透明氧化物半导体薄膜上面制备源电极和漏电极；-采用提拉或旋涂法在源电极和漏电极上面覆盖一层有机介质层薄膜；以及-采用热蒸发方法在有机介质层薄膜上面制备栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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