[发明专利]晶圆测试方法有效
| 申请号： | 200910055366.8 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101964316A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郭强;龚斌;刘云海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆测试方法，包括：提供含有一个以上Shot的晶圆，每个Shot中含有一个以上的真实Die；将每个Shot分成一个以上虚拟Die，各个虚拟Die周期性重复，并且各个虚拟Die大小相同，真实Die与Die间对应点之间在长度和宽度方向的间距分别是虚拟Die长或者宽的整数倍；在所述一个以上真实Die中分别选取一代表点代表真实Die在Shot中的位置，所述各代表点在真实Die上的位置对应，根据各代表点的位置将真实die投射至虚拟Die，并将所述虚拟Die标记为1，其余虚拟Die标记为0，标记为1和0的所有虚拟Die组成虚拟晶圆图；根据所述的虚拟晶圆图测试所述晶圆。所述方法提高了测试速度，并且提升了工作效率，还减少了由于变换测试程序带来的差错。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆测试方法，其特征在于，包括：提供含有一个以上曝光场Shot的晶圆，每个Shot中含有一个以上的真实芯片Die；将每个Shot分成一个以上虚拟Die，各个虚拟Die周期性重复，并且各个虚拟Die大小相同，真实Die与Die间对应点之间在长度和宽度方向的间距分别是虚拟Die长或者宽的整数倍；在所述一个以上真实Die中分别选取一代表点代表真实Die在Shot中的位置，所述各代表点在真实Die上的位置对应，根据各代表点的位置将真实die投射至虚拟Die，并将所述虚拟Die标记为1，其余虚拟Die标记为0，标记为1和0的所有虚拟Die组成虚拟晶圆图；根据所述的虚拟晶圆图测试所述晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
