[发明专利]一种基于多晶硅发射极的双极晶体管无效
| 申请号： | 200910055368.7 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101599506A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 唐树澍 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/43;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种基于多晶硅发射极的双极晶体管，包括衬底，在所述衬底内形成的集电区和位于集电区上的基区，以及在所述衬底的上表面通过先后沉积至少两层不同掺杂浓度的多晶硅层形成的多晶硅发射极。本发明所提供的一种基于多晶硅发射极的双极晶体管，通过采用不同掺杂浓度的多晶硅层构成多晶硅发射极，在多晶硅发射极中形成了能障(energy barrier)，从而在低VCE区域显著提高了电流增益。其制作工艺与现有工艺兼容，不需要提供额外的掩模，没有带来附加的工艺难度，因此易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多晶 发射极 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种基于多晶硅发射极的双极晶体管，其包括衬底，在所述衬底内形成的集电区以及位于集电区上的基区，所述衬底的上表面具有一多晶硅发射极，其特征在于：所述多晶硅发射极通过先后沉积至少两层不同掺杂浓度的多晶硅层形成。
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