[发明专利]具防止静电破坏的光罩无效
| 申请号： | 200910055372.3 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101598893A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具防止静电破坏的光罩，包括多个彼此间隔的金属线，其中，所述相邻两个金属线之间通过至少一金属导线连接，所述金属导线的宽度小于曝光分辨率。本发明提出一种具防止静电破坏的光罩，其能够有效防止静电电荷累积，避免产生静电电荷放电，从而保护光罩。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 静电 破坏 | ||
【主权项】：
1.一种具防止静电破坏的光罩，包括多个彼此间隔的金属线，其特征在于所述相邻两个金属线之间通过至少一金属导线连接。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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