[发明专利]用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法有效
申请号: | 200910055373.8 | 申请日: | 2009-07-24 |
公开(公告)号: | CN101752227A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 张博 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法,包括:在半导体基底内形成第一浅沟槽;在所述半导体基底上和所述第一浅沟槽内生长绝缘介质;对所述绝缘介质的表面进行研磨,使所述第一浅沟槽表面平坦化,并去除所述半导体基底上的所述绝缘介质;在所述第一浅沟槽内形成第二浅沟槽,所述第二浅沟槽位于所述半导体基底上的MOS电容区域;在所述第二浅沟槽侧壁和底部生长衬垫氧化层;在所述衬垫氧化层上生长多晶硅层。本发明提供的浅沟槽作为MOS电容的基底,有效的增加了MOS电容的表面积,从而使得MOS电容的存储能力得到大幅度的提高。 | ||
搜索关键词: | 用于 mos 电容 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法,包括:S1:在半导体基底内形成第一浅沟槽;S2:在所述半导体基底上和所述第一浅沟槽内生长绝缘介质;S3:对所述绝缘介质的表面进行研磨,使所述第一浅沟槽表面平坦化,并去除所述半导体基底上的所述绝缘介质;S4:在所述第一浅沟槽内形成第二浅沟槽;S5:在所述第二浅沟槽侧壁和底部生长衬垫氧化层;S6:在所述第二衬垫氧化层上生长多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造