[发明专利]用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法有效

专利信息
申请号: 200910055373.8 申请日: 2009-07-24
公开(公告)号: CN101752227A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 张博 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法,包括:在半导体基底内形成第一浅沟槽;在所述半导体基底上和所述第一浅沟槽内生长绝缘介质;对所述绝缘介质的表面进行研磨,使所述第一浅沟槽表面平坦化,并去除所述半导体基底上的所述绝缘介质;在所述第一浅沟槽内形成第二浅沟槽,所述第二浅沟槽位于所述半导体基底上的MOS电容区域;在所述第二浅沟槽侧壁和底部生长衬垫氧化层;在所述衬垫氧化层上生长多晶硅层。本发明提供的浅沟槽作为MOS电容的基底,有效的增加了MOS电容的表面积,从而使得MOS电容的存储能力得到大幅度的提高。
搜索关键词: 用于 mos 电容 沟槽 隔离 结构 制作方法
【主权项】:
用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法,包括:S1:在半导体基底内形成第一浅沟槽;S2:在所述半导体基底上和所述第一浅沟槽内生长绝缘介质;S3:对所述绝缘介质的表面进行研磨,使所述第一浅沟槽表面平坦化,并去除所述半导体基底上的所述绝缘介质;S4:在所述第一浅沟槽内形成第二浅沟槽;S5:在所述第二浅沟槽侧壁和底部生长衬垫氧化层;S6:在所述第二衬垫氧化层上生长多晶硅层。
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