[发明专利]双极晶体管及其形成方法、虚拟接地电路有效
| 申请号： | 200910055408.8 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101964359A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 季明华;秦立瑛;肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/423;H01L29/36;H01L21/331;H01L27/12;G05F3/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双极晶体管、双极晶体管的形成方法以及包含双极晶体管的虚拟接地电路，和二倍带隙基准电路，其中，所述双极晶体管包括：绝缘体上硅，基区、发射区和集电区，基区栅介质层，位于顶层硅上对应于基区位置；多晶硅层，位于基区栅介质层上；发射极，通过第一接触孔与发射区电学连接；集电极，通过第二接触孔与集电区电学连接；基区控制电极，通过第三接触孔与多晶硅层电学连接，所述多晶硅层的导电类型与基区相同，与发射区和集电区相反。形成这种双极晶体管的工艺与传统的标准CMOS工艺完全兼容；而且双极晶体管的发射区/集电区结电容较小，通过在基区控制电极上施加电压形成基区电流，无需额外基区接触孔工艺，具有较小的输入电容。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 及其 形成 方法 虚拟 接地 电路 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管，包括：绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括硅基底、依次位于硅基底上的埋氧层和顶层硅；基区、发射区和集电区，位于顶层硅内，所述基区位于发射区和集电区之间，所述发射区和集电区的导电类型相同，所述基区导电类型与发射区和集电区相反；基区栅介质层，位于顶层硅上对应于基区位置；多晶硅层，位于基区栅介质层上；发射极，通过第一接触孔与发射区电学连接；集电极，通过第二接触孔与集电区电学连接；其特征在于，还包括：基区控制电极，通过第三接触孔与多晶硅层电学连接，所述多晶硅层的导电类型与基区相同，与发射区和集电区相反。
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