[发明专利]高比表面积单晶氧化钨的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910055502.3 申请日: 2009-07-28
公开(公告)号: CN101619488A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 朱建;王松玲;卞振锋;曹锋雷;李和兴 申请(专利权)人: 上海师范大学
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B7/10;C01G41/02
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 代理人: 季申清
地址: 200234*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及单晶氧化钨材料,一种高比表面积单晶氧化钨的制备方法。现有氧化钨材料应用于纺织印染工业和环境保护,表现出吸附性不强、染料废水处理效果不明显等缺点。本发明方法包括以下步骤:配制前躯体溶液:将钨酸盐加入水中,水和钨酸盐的摩尔比为241到483;调节pH值:向前躯体溶液加酸、搅拌,调节溶液pH值1~2;将上述溶液静置0.5天~3天;静置后的溶液移入聚四氟乙烯水热釜中,在温度40℃~180℃条件下,陈化6小时~8天;将步骤(4)所得样品离心分离后用水洗涤3次,置入恒温干燥箱中100℃干燥24小时。本发明的优点是:制备工艺简单;氧化钨比表面积大;对染料强吸附性能强;染料废水处理效果好。
搜索关键词: 表面积 氧化钨 制备 方法
【主权项】:
1.一种高比表面积单晶氧化钨的制备方法,包括以下步骤:(1)配制前躯体溶液:将钨酸盐加入水中,水和钨酸盐的摩尔比为241到483;(2)调节pH值:向前躯体溶液加酸、搅拌,调节溶液pH值1~2;(3)将上述溶液静置0.5天~3天;(4)静置后的溶液移入聚四氟乙烯水热釜中,在温度40℃~180℃条件下,陈化6小时~8天;(5)将步骤(4)所得样品离心分离后用水洗涤3次,置入恒温干燥箱中100℃干燥24小时,制得棒状单晶WO3材料。
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