[发明专利]减少浅沟道隔离槽的边角缺陷的方法有效
| 申请号： | 200910055761.6 | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101989564A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;李健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少浅沟道隔离槽的边角缺陷的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化层、氮化硅层和光刻胶层，在进行曝光显影工艺后，以光刻胶层为掩膜对所述氮化硅层、垫氧化层和半导体衬底进行刻蚀，形成浅沟槽；在形成所述浅沟槽后，使用低沉积速率的化学气相沉积法沉积绝缘层；通过化学机械抛光工艺过程清除所述氮化硅层上的绝缘层；然后再去除所述氮化硅层和垫氧化层，形成浅沟道隔离槽结构。通过使用上述的方法，可有效地减少直浅沟道隔离槽的边角缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 沟道 隔离 边角 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种减少浅沟道隔离槽的边角缺陷的方法，其特征在于，该方法包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化层、氮化硅层和光刻胶层，在进行曝光显影工艺后，以光刻胶层为掩膜对所述氮化硅层、垫氧化层和半导体衬底进行刻蚀，形成浅沟槽；在形成所述浅沟槽后，使用低沉积速率的化学气相沉积法沉积绝缘层；通过化学机械抛光工艺过程清除所述氮化硅层上的绝缘层；然后再去除所述氮化硅层和垫氧化层，形成浅沟道隔离槽结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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