[发明专利]一种集成电路电阻电容工艺参数波动检测器及使用方法无效
| 申请号： | 200910055781.3 | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101615588A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 任铮;胡少坚;周伟;曹永峰 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/02;G01R27/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种集成电路电阻电容工艺参数波动检测器及使用方法。所提供的集成电路电阻电容工艺参数波动检测器用以探测由特定半导体工艺制成的电阻阻值和电容容值的波动以及该电阻电容所组成RC电路频率特性与理想值间的偏差，其包括参考电荷电路、计数器和比较器，比较器的一端耦接于参考电荷电路，另一端耦接于计数器。本发明提供的集成电路电阻电容工艺参数波动检测器对半导体晶圆中不同位置的相同类型电阻、电容采用本发明中的探测电路得到计数，并用本发明提供的使用方法对计数数值进行分析与比较，便可以准确而高效地得到该半导体工艺中电阻、电容的波动情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 电阻 电容 工艺 参数 波动 检测器 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路电阻电容工艺参数波动检测器，用以探测由特定半导体工艺制成的电阻的阻值和电容的容值的波动，其特征在于，包括：参考电荷电路；计数器；以及比较器，上述比较器的一端耦接于上述参考电荷电路，另一端耦接于上述计数器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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