[发明专利]一种发光二极管芯片的制造方法有效
| 申请号： | 200910055921.7 | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101640242A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;李士涛;张楠;陈诚 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制造方法，该方法包括以下步骤：步骤一，在半导体衬底之上生长发光二极管结构的半导体外延层；步骤二，在所述半导体外延层上制备透明导电层；步骤三，对步骤二所得结构进行局部刻蚀，使部分n型氮化物半导体层露出；步骤四，对所得结构表面和透明导电层在一定条件下利用N2O进行处理；步骤五，在n型氮化物半导体层上制备n电极，在p型氮化物半导体层上制备p电极；步骤六，在步骤五所得的结构上表面制备SiO2保护膜，只露出n电极及p电极。采用N2O在一定条件下对刻蚀后的芯片结构进行处理，既可以使得由于刻蚀而损伤的部分得到恢复，还可以达到强化透明导电层的效果，从而改善了芯片的性能，提高芯片的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一，在衬底上制备半导体外延层，该层至少包括n型氮化物半导体层、位于n型氮化物半导体层上的有源层、以及位于有源层上的p型氮化物半导体层；步骤二，在所述半导体外延层的p型氮化物半导体层上制备透明导电层；步骤三，利用光刻及刻蚀技术对步骤二所得结构进行局部刻蚀，使部分n型氮化物半导体层露出；步骤四，利用N2O对所得结构的表面及透明导电层进行处理；步骤五，在n型氮化物半导体层上制备n电极，在p型氮化物半导体层上制备p电极。步骤六，在步骤五所得的结构上表面制备SiO2保护膜，只露出n电极及p电极。
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