[发明专利]一种发光二极管芯片的制造方法有效
申请号: | 200910055921.7 | 申请日: | 2009-08-05 |
公开(公告)号: | CN101640242A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 郝茂盛;李士涛;张楠;陈诚 | 申请(专利权)人: | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201203上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制造方法,该方法包括以下步骤:步骤一,在半导体衬底之上生长发光二极管结构的半导体外延层;步骤二,在所述半导体外延层上制备透明导电层;步骤三,对步骤二所得结构进行局部刻蚀,使部分n型氮化物半导体层露出;步骤四,对所得结构表面和透明导电层在一定条件下利用N2O进行处理;步骤五,在n型氮化物半导体层上制备n电极,在p型氮化物半导体层上制备p电极;步骤六,在步骤五所得的结构上表面制备SiO2保护膜,只露出n电极及p电极。采用N2O在一定条件下对刻蚀后的芯片结构进行处理,既可以使得由于刻蚀而损伤的部分得到恢复,还可以达到强化透明导电层的效果,从而改善了芯片的性能,提高芯片的寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管芯片的制造方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一,在衬底上制备半导体外延层,该层至少包括n型氮化物半导体层、位于n型氮化物半导体层上的有源层、以及位于有源层上的p型氮化物半导体层;步骤二,在所述半导体外延层的p型氮化物半导体层上制备透明导电层;步骤三,利用光刻及刻蚀技术对步骤二所得结构进行局部刻蚀,使部分n型氮化物半导体层露出;步骤四,利用N2O对所得结构的表面及透明导电层进行处理;步骤五,在n型氮化物半导体层上制备n电极,在p型氮化物半导体层上制备p电极。步骤六,在步骤五所得的结构上表面制备SiO2保护膜,只露出n电极及p电极。
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