[发明专利]多晶硅层掺杂的方法有效
| 申请号： | 200910055939.7 | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101989540A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅层掺杂的方法，在衬底上形成N阱、隔离区和P阱，并在衬底表面沉积栅氧化层和多晶硅层后，该方法包括：采用离子注入工艺对P阱上方和N阱上方的多晶硅层进行掺杂，且所掺杂的离子类型为P型元素；在N阱上方的多晶硅层上施加掩膜，并采用离子注入工艺对P阱上方的多晶硅层进行掺杂，且所掺杂的离子类型为N型元素，N型元素的剂量大于所掺杂的P型元素的剂量。采用该方法能够简化多晶硅层掺杂的工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅层掺杂的方法，在衬底上形成N阱、隔离区和P阱，并在衬底表面沉积栅氧化层和多晶硅层后，该方法包括：采用离子注入工艺对P阱上方和N阱上方的多晶硅层进行掺杂，且所掺杂的离子类型为P型元素；在N阱上方的多晶硅层上施加掩膜，并采用离子注入工艺对P阱上方的多晶硅层进行掺杂，且所掺杂的离子类型为N型元素，N型元素的剂量大于所掺杂的P型元素的剂量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
