[发明专利]深反应离子刻蚀方法及其气体流量控制装置有效
| 申请号： | 200910056068.0 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101988196A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 尹志尧;吴万俊;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种深反应离子刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括交替进行的刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤所采用的第一工艺条件与聚合物沉积步骤所采用的第二工艺条件之间的转换通过渐变转换方式实现。使用该发明的深反应离子刻蚀方法刻蚀的深通孔的侧壁具有良好的光滑度，并且刻蚀效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 离子 刻蚀 方法 及其 气体 流量 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种深反应离子刻蚀方法，包括多个循环进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括一个刻蚀步骤和侧壁保护步骤，其特征在于：所述刻蚀步骤供应刻蚀反应气体，侧壁保护步骤供应侧壁保护气体，其中刻蚀气体和侧壁保护气体供应时间存在重叠，在从刻蚀步骤到侧壁保护步骤转换的重叠时间内刻蚀气体逐渐减少同时侧壁保护气体逐渐增加，其中重叠时间大于刻蚀周期时间的20％。
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