[发明专利]一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒阵列的方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒阵列的方法。本发明首先利用纳米压印技术在透明衬底上制作出图形化的金属和氧化锌籽晶层构成的双层结构，然后旋涂紫外负光刻胶并利用背光刻技术做出纳米孔洞，然后运用水热法生长出受纳米孔洞限制而垂直生长的氧化锌纳米棒。与常用的利用阳极氧化铝模板和光刻方法生长图形化氧化锌纳米棒的方法相比，本发明方法制备的氧化锌纳米棒阵列具有图形可控性好，分辨率高，大面积均匀性佳等优点。

主权项

1.一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒的方法；其特征在于先用纳米压印做出图形化的籽晶层/金属的双层结构，再利用背光刻技术在紫外光刻胶中光刻显影做出纳米尺寸的孔洞来限制氧化锌纳米棒的生长，具体步骤为：(1)利用压印技术在透明衬底上压印出与氧化锌纳米棒直径相同大小的图形，再用PVD在衬底上先后淀积金属和氧化锌，并进行lift off工艺，形成氧化锌籽晶层/金属的双层结构；其中，压印技术采用双层胶工艺，或者三层胶工艺；(2)在衬底上旋涂一层负光刻胶，然后用紫外光进行背光刻及显影，利用近场曝光在光刻胶上制作出与之前形成的氧化锌籽晶层/金属双层结构直径相同纳米孔洞；(3)利用水热法在氧化锌籽晶层上生长氧化锌纳米棒，由于纳米孔洞的限制，纳米棒将会只沿着纳米孔洞的径向生长，形成方向直径可控的氧化锌纳米棒阵列；其中，淀积的金属为Au或Pt。