[发明专利]沉积低介电常数绝缘材料层的方法有效
| 申请号： | 200910056251.0 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101996878A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沉积低介电常数绝缘材料层的方法，应用于半导体器件的层间介质层的沉积工序中，包括以下步骤：向沉积反应腔内通入初始氧气；向沉积反应腔内通入初始八甲基环化四硅氧烷(OMCTS)；开启功率电源，进行黑金刚石(BD)层的沉积，降低所述OMCTS的流量，逐步提高OMCTS的流量，达到初始通入的OMCTS流量。采用该方法能够使沉积的BD材料层具有较好的厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 介电常数 绝缘材料 方法 | ||
【主权项】：
一种沉积低介电常数绝缘材料层的方法，应用于半导体器件的层间介质层的沉积工序中，包括以下步骤：向沉积反应腔内通入初始氧气；向沉积反应腔内通入初始八甲基环化四硅氧烷OMCTS；开启功率电源，进行黑金刚石BD层的沉积，降低所述OMCTS的流量，逐步提高OMCTS的流量，达到初始通入的OMCTS流量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
