[发明专利]优化CMOS图像传感器版图的方法及刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910056729.X | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101996261A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 罗飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/82;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种优化CMOS图像传感器版图的方法及刻蚀方法，其中刻蚀方法包括：提供衬底，所述衬底表面形成有介质层；在所述介质层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述介质层，直至去除部分厚度的所述介质层；对所述介质层执行释放电荷工艺；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀剩余所述介质层。本发明的刻蚀方法能够有效的保护被刻蚀介质的边角，本发明的优化CMOS图像传感器版图的方法，能够提高CMOS图像传感器的填充因子，有效地提高CMOS图像传感器的图像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 cmos 图像传感器 版图 方法 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种优化CMOS图像传感器版图的方法，其特征在于，包括：提供版图，所述版图包括CMOS图像传感器光电二极管有源区和晶体管的栅电极区；所述光电二极管有源区和晶体管的栅电极区具有原始尺寸，所述栅电极区包括栅电极层和硬掩膜层；根据版图，制备晶体管的栅电极，所述制备晶体管的栅电极的工艺包括硬掩膜层刻蚀步骤，所述硬掩膜层刻蚀步骤采用释放电荷刻蚀的硬掩膜层刻蚀方法；测试所述栅电极尺寸；根据测试结果，对版图上的光电二极管有源区和晶体管栅电极区的尺寸进行优化，所述优化的光电二极管有源区面积大于优化前的版图上的光电二极管有源区面积。
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